申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-06-06

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN111129144B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20181031 US 62/753,139","20190111 US 16/245,442"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：本公开涉及栅极间隔件结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括在有源区域上方形成牺牲栅极结构。沿着牺牲栅极结构的侧壁和顶表面形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成第一保护层。在第一保护层上方形成第二间隔层。在第二间隔层上方形成第三间隔层。用替换栅极结构替换牺牲栅极结构。移除第二间隔层以在第一保护层和第三间隔层之间形成气隙。

主权项：1.一种用于形成半导体的方法，包括：在有源区域上方形成牺牲栅极结构；沿着所述牺牲栅极结构的侧壁和顶表面形成第一间隔层；在所述第一间隔层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二间隔层；在所述第二间隔层上方形成第三间隔层；用替换栅极结构替换所述牺牲栅极结构；以及移除所述第二间隔层以在所述第一保护层和所述第三间隔层之间形成气隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 栅极间隔件结构及其形成方法

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