申请/专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116168740A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16

优先权：["20211125 KR 10-2021-0164289"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的磁道。磁道包括下磁性层、在下磁性层上的上磁性层、在下磁性层上并且在上磁性层的一侧的非磁性图案、以及在下磁性层和上磁性层之间并且在下磁性层和非磁性图案之间延伸的间隔物层。下磁性层和上磁性层通过间隔物层彼此反铁磁耦合。非磁性图案具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面。非磁性图案和上磁性层之间的接合表面相对于与第一表面和第二表面垂直的参考表面倾斜。

主权项：1.一种磁存储器件，包括：在第一方向上延伸的磁道，其中所述磁道包括：下磁性层；在所述下磁性层上的上磁性层；非磁性图案，在所述下磁性层上并且在所述上磁性层的一侧；以及间隔物层，在所述下磁性层和所述上磁性层之间，并且在所述下磁性层和所述非磁性图案之间延伸，其中所述下磁性层和所述上磁性层通过所述间隔物层彼此反铁磁耦合，其中所述非磁性图案具有在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面，所述第一方向和所述第二方向平行于所述磁道的下表面，以及其中所述非磁性图案和所述上磁性层之间的接合表面相对于与所述非磁性图案的所述第一表面和所述第二表面垂直的参考表面倾斜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会 磁存储器件

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