申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-04-11

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111816763B

主分类号：H10N50/01

分类号：H10N50/01;H10N50/80;H10N50/10;H10B61/00;G11C11/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明公开一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法包括：在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结和顶电极，底电极通孔、底电极、磁性隧道结和顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，则采用底电极通孔和可电学导通的赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极直接相连接的方式实现，底电极通孔、赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐；最后，在存储阵列单元区域的顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层Cu位线连线以在外围电路单元区域和存储阵列单元区域分别实现从金属连线Mx到位线之间的有效连接。

主权项：1.一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作底电极通孔、磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极，并且底电极通孔、磁性隧道结底电极、磁性隧道结和磁性隧道结顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，则采用底电极通孔和可电学导通的赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极直接相连接的方式实现，底电极通孔、赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐，赝磁性隧道结的面积电阻率为磁性隧道结的面积电阻率的5％或以下；在外围电路单元区域，在沉积赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结和赝磁性隧道结顶电极之前，进行表面粗糙化处理，以使得其表面平整度低于磁性隧道结的表面平整度；最后，在存储阵列单元区域的磁性隧道结顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层Cu位线连线以在外围电路单元区域和存储阵列单元区域分别实现从金属连线Mx到位线之间的有效连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法

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