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【发明公布】具有压缩的外围侧面区的锗基平面光电二极管_原子能和替代能源委员会_202311334397.3 

申请/专利权人:原子能和替代能源委员会

申请日:2023-10-16

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117894807A

主分类号:H01L27/144

分类号:H01L27/144

优先权:["20221014 FR FR2210639"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本发明涉及一种平面光电二极管1,包括由锗基材料M0制成的检测部分10和外围侧面部分3,外围侧面部分3包括彼此堆叠的几种材料,该几种材料包括热膨胀系数低于材料M0的热膨胀系数的材料M1和热膨胀系数高于或等于材料M0的热膨胀系数的材料M2。中间区域13包括被材料M1包围并具有拉伸应力的部分P1。中间区域13还包括被材料M2包围并具有压缩应力的部分P2。部分P2包围n掺杂的BOX12。

主权项:1.一种平面光电二极管1,包括:主半导体层2的检测部分10,所述检测部分10由至少一种锗基晶体半导体材料M0制成,具有平行于主平面的第一面F1和第二面F2,并且包括:p型掺杂的第一区域11,与所述第一面F1齐平;n型掺杂的第二区域12,与所述第二面F2齐平;和中间区域13,在所述第一掺杂区域11和第二掺杂区域12之间延伸,并且在所述主平面中包围所述第二掺杂区域12,同时与所述第二面F2齐平;和外围侧面部分3,所述外围侧面部分3用于电极化,由至少一种第一导电材料M1制成,沿垂直于所述主平面的垂直轴延伸,直到与所述第一掺杂区域11接触,并且延伸与所述检测部分10接触,同时包围所述主平面中的所述中间区域13;第一材料M1具有比所述材料M0的热膨胀系数低的热膨胀系数CTE1,从所述第一面F1延伸;中间区域13包括第一部分P1,在所述主平面中被所述第一材料M1包围,具有机械拉伸应力;其特征在于,所述外围侧面部分3包括几种不同的导电材料,所述几种导电材料沿所述垂直轴彼此堆叠,所述几种导电材料包括:至少一种第二材料M2,所述至少一种第二材料M2在所述第一材料M1和所述第二面F2之间延伸,具有高于或等于所述材料M0的热膨胀系数的热膨胀系数CTE2,所述中间区域13包括与所述第二面F2齐平的第二部分P2,所述第二部分P2在所述主平面中被所述第二材料M2包围,由具有机械压缩应力的外围侧面区Z2p形成,所述外围侧面区Z2p在所述主平面中包围具有机械拉伸应力的中心区Z2c,并且所述第二掺杂区域12位于所述中心区Z2c中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 原子能和替代能源委员会 具有压缩的外围侧面区的锗基平面光电二极管

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