申请/专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220788869U

主分类号：C30B15/00

分类号：C30B15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型公开了一种设有泄露引流机构的锗单晶炉，包括用于对锗单晶进行加热的下炉体，所述下炉体上方利用螺栓固定安装有炉盖，且所述炉盖上方贯穿安装有呈细长的上炉体；隔离阀，利用法兰结构固定安装在所述炉盖与所述上炉体之间；密封罩，贯穿安装在所述上炉体下端外部；支撑底座，利用下表面支脚水平放置在地面上。该设有泄露引流机构的锗单晶炉，采用新型的结构设计，使得利用温度传感器检测装置内部保护气体的泄露（由于背部温度非常高，所以在保护气体泄露后会使周围温度上升，利用温度传感器检测这一变化），从而使得密封罩覆盖在隔离阀外部，从而利用收集罐对泄露的保护气体进行收集，避免浪费并且提醒工作人员进行检修。

主权项：1.一种设有泄露引流机构的锗单晶炉，包括用于对锗单晶进行加热的下炉体（1），所述下炉体（1）上方利用螺栓固定安装有炉盖（2），且所述炉盖（2）上方贯穿安装有呈细长的上炉体（3），其特征在于，还包括：隔离阀（4），利用法兰结构固定安装在所述炉盖（2）与所述上炉体（3）之间，所述隔离阀（4）用于隔绝下炉体（1）与上炉体（3）之间的热量传递；提升电机（5），固定安装在所述上炉体（3）上表面外部，所述提升电机（5）用于将下炉体（1）内部的锗单晶提升至上炉体（3）内部进行冷却；密封罩（6），贯穿安装在所述上炉体（3）下端外部，所述密封罩（6）上端内环与所述上炉体（3）外表面之间组成密封结构；支撑底座（7），利用下表面支脚水平放置在地面上，所述支撑底座（7）整体呈“L”形结构，且所述支撑底座（7）与所述上炉体（3）之间利用固定架（8）相互固定连接；安装板（9），固定安装在所述下炉体（1）下表面，所述安装板（9）用于带动所述下炉体（1）同步移动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明汇泉高纯半导材料有限公司 一种设有泄露引流机构的锗单晶炉

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD