申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866634A

主分类号：C09K13/00

分类号：C09K13/00;C09K13/06;C09K13/08;C09K13/10;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本文描述了一种相对于二氧化硅的硅锗选择性蚀刻液。该蚀刻液主要成分包括氟化物、氧化剂、缓冲组合物、二氧化硅抑制剂、表面活性剂和水。本发明蚀刻液通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高硅锗对二氧化硅的蚀刻选择比。在所述硅锗被至少部分的去除之后冲洗所述半导体器件，其中硅锗相对于硅的蚀刻选择性高于100；硅锗相对于二氧化硅的蚀刻选择性高于30。

主权项：1.一种相对于二氧化硅的硅锗选择性蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液包含：约1重量％至约5重量％的氟离子源；约10重量％至约20重量％的氧化剂；约1重量％至约5重量％的缓冲组合物；约0.01重量％至约5重量％的二氧化硅抑制剂；约0.01重量％至约5重量％的螯合剂；约0.01重量％至约5重量％的表面活性剂；其余为高纯水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种相对于二氧化硅的选择性硅锗蚀刻液

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