申请/专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学

申请日：2023-03-17

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN116207465B

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.06.20#实质审查的生效;2023.06.02#公开

摘要：本发明属于滤波器件领域，具体涉及一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器，包括：基板、开关加热电极层、介质隔离层、GeTe层、电极层、背面接地层、滤波器谐振环；基板用于支撑整个器件结构；开关加热电极层嵌入基板特定的凹槽内，用于加热GeTe层使其相变；介质隔离层设置在开关加热电极层与GeTe层之间，用于隔离开关加热电极层与GeTe层；电极层位于GeTe层上方与滤波器谐振环连接，用于固定GeTe层与滤波器谐振环；背面接地层位于基板底部。本发明通过加热开关加热电极层改变GeTe相变材料的物理状态，不需要一直外加电压，与一般的MEMS可调滤波器相比具有更快的响应时间、更小的驱动电压脉冲不消耗静态功率。

主权项：1.一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器，其特征在于，包括：基板、开关加热电极层、介质隔离层、GeTe层、电极层、背面接地层、滤波器谐振环；所述基板用于支撑整个器件结构，基板上下两面都生长有氮化硅层；所述开关加热电极层嵌入所述基板上开设的凹槽内，用于加热GeTe层使其相变；所述介质隔离层设置在所述开关加热电极层与所述GeTe层之间，用于隔离所述开关加热电极层与所述GeTe层；所述电极层位于所述GeTe层上方与所述滤波器谐振环连接，用于固定所述GeTe层与所述滤波器谐振环；所述滤波器谐振环，包括：开口谐振环与缝隙耦合馈电结构，所述缝隙耦合馈电结构与开口谐振环通过耦合的方式实现馈电连接；所述缝隙耦合馈电结构与开口谐振环通过耦合的方式实现馈电连接，包括：所述开口谐振环本身可视为电感，电荷在谐振环自身缺口处聚集形成电容，开口谐振环之间产生缝隙耦合电容，形成谐振电路；所述背面接地层位于所述基板底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学;电子科技大学 一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器

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