申请/专利权人：中车株洲电力机车研究所有限公司

申请日：2020-06-29

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN111669160B

主分类号：H03K17/74

分类号：H03K17/74

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供了一种GCT关断电路及其控制方法，用于实现GCT器件的关断。所述GCT关断电路包括：功率电路，跨接于所述门极和所述阴极之间，用于在所述GCT器件的动态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第一反偏电压，所述第一反偏电压大于所述门极和所述阴极的安全反偏电压阈值；以及控制电路，分别跨接于所述门极和所述阴极之间，用于在所述GCT器件的静态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第二反偏电压，所述第二反偏电压小于所述安全反偏电压阈值。

主权项：1.一种GCT关断电路，用于实现GCT器件的关断，所述GCT器件包括门极和阴极，所述GCT关断电路包括：功率电路，包括NMOS堆及电容堆，其中，所述NMOS堆的漏极与所述门极连接，所述NMOS堆的源极接地，所述电容堆的第一端与所述阴极连接，所述电容堆的第二端与所述NMOS堆的源极连接，用于在所述GCT器件的动态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第一反偏电压，所述第一反偏电压大于所述门极和所述阴极的安全反偏电压阈值；以及控制电路，包括第三MOS管以及第四MOS管，其中，所述第三MOS管的漏极与所述门极连接，所述第四MOS管的漏极与所述阴极连接，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接并接地，用于在所述GCT器件的静态关断状态下向所述门极和所述阴极提供第二反偏电压，所述第二反偏电压小于所述安全反偏电压阈值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中车株洲电力机车研究所有限公司 一种GCT关断电路及其控制方法

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