申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2023-03-03

公开（公告）日：2023-07-07

公开（公告）号：CN116399946A

主分类号：G01N29/04

分类号：G01N29/04;G01N27/00;G01N27/26;G01N27/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.25#实质审查的生效;2023.07.07#公开

摘要：本发明提出的一种SiGeHBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数；在第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第三1f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第四1f噪声参数；根据第一1f噪声参数、第二1f噪声参数、第三1f噪声参数及第四1f噪声参数，确定低温条件下待测SiGeHBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。

主权项：1.一种SiGeHBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，其特征在于，包括：在第一预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数；在第二预设温度下，利用1f噪声对待测SiGeHBT进行检测，获得第一1f噪声参数，所述第二预设温度低于所述第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和所述第一预设温度下，利用1f噪声对所述待测SiGeHBT进行检测，获得第三1f噪声参数；在预设辐照条件和所述第二预设温度下，利用1f噪声对所述待测SiGeHBT进行检测，获得第四1f噪声参数；根据所述第一1f噪声参数、第二1f噪声参数、第三1f噪声参数及第四1f噪声参数，确定低温条件下所述待测SiGeHBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法

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