申请/专利权人：赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司

申请日：2021-03-05

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN113013296B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/324;H01L31/0747

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.28#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本技术方案公开了一种铸造单晶硅片黑丝的去除方法，HIT异质结太阳能电池及其制备方法，铸造单晶硅片黑丝的去除方法包括：高温磷扩散退火，将铸造单晶硅片放入热处理炉中，抽真空，并加热温度至不低于1200℃，在保护气氛下通三氯氧磷进行表面磷扩散，在上述硅片的表面形成一层磷硅玻璃层，并保温10‑120min，保温结束后在以2‑15℃min的冷却速率降温至常温。通过高温磷扩散退火工艺，有效减少铸造单晶硅片的黑丝面积，不仅有效降低电池片的EL不良比例，且能有效提升电池片的效率。

主权项：1.一种铸造单晶硅片黑丝的去除方法，其特征在于，其步骤包括：高温磷扩散退火，将所述硅片放入热处理炉中，抽真空，并加热温度至不低于1250℃，在保护气氛下通三氯氧磷进行表面磷扩散，在所述硅片的表面形成一层磷硅玻璃层，并保温10-120min，保温结束后在以2-15℃min的冷却速率降温至常温，通过高温磷扩散退火去除所述硅片的黑丝面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 铸造单晶硅片黑丝的去除方法、HIT异质结太阳能电池及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD