申请/专利权人:中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日:2023-06-12
公开(公告)日:2023-08-01
公开(公告)号:CN116525421A
主分类号:H01L21/205
分类号:H01L21/205;H01L31/032;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开
摘要:本发明提供一种基于锑化物材料制备铟稼氧纳米线半导体的生长方法,其属于半导体制备技术领域,其具体采用铟稼氧InGaO3纳米线的制备方案,其具体为基于锑化物材料在低温、低压环境下一步生长铟稼氧InGaO3纳米线的制备方法。依据本发明所制备出的铟稼氧InGaO3纳米线半导体,制备的铟稼氧InGaO3纳米线光电探测器为金属‑半导体‑金属M‑S‑M结构,在保证高质量结晶度的前提下实现了探测效率的提高。
主权项:1.一种基于锑化物材料制备铟稼氧纳米线的生长方法,其特征在于,其具体采用铟稼氧InGaO3纳米线的制备方案,其为基于锑化物材料在低温、低压环境下一步生长铟稼氧InGaO3纳米线的制备方法。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 一种基于锑化物材料制备铟稼氧纳米线半导体的生长方法
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