申请/专利权人：广东仁懋电子有限公司

申请日：2023-10-30

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117154898B

主分类号：H02J7/00

分类号：H02J7/00;H02J7/02;H05K1/14;H05K1/02;H05K9/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.20#授权;2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本申请涉及一种基于氮化稼的快充芯片，包括由多个基准层顺序堆叠组成的基板、设在基板的第一个基准层上的升压电路和降压电路、设在基板的第三个基准层上并与升压电路和降压电路电连接的控制电路以及设在基板上的被动吸收电路，被动吸收电路的吸收端位于基板的第三个基准层上且位于升压电路和降压电路之间，被动吸收电路的释放端在基板的第二个基准层上延伸。本申请公开的基于氮化稼的快充芯片，通过对芯片内部进行结构优化的方式来降低芯片内部工作过程中各部分间的电磁干扰，进而使充电器能够输出更高质量的电能。

主权项：1.一种基于氮化稼的快充芯片，其特征在于，包括：基板（1），包括顺序堆叠的多个基准层（11）；升压电路（2）和降压电路（3），均设在基板（1）的第一个基准层（11）上；控制电路（4），设在基板（1）的第三个基准层（11）上并与升压电路（2）和降压电路（3）电连接；以及被动吸收电路（5），设在基板（1）上，被动吸收电路（5）的吸收端位于基板（1）的第三个基准层（11）上且位于升压电路（2）和降压电路（3）之间，被动吸收电路（5）的释放端在基板（1）的第二个基准层（11）上延伸；被动吸收电路（5）包括：信号阻隔墙（51），设在基板（1）的第一个基准层（11）和第二个基准层（11）上；接地板（52），位于被动吸收电路（5）的释放端所在基准层（11）；以及第一信号引导线（53），两端分别与信号阻隔墙（51）和接地板（52）连接；其中，信号阻隔墙（51）位于升压电路（2）和降压电路（3）之间；信号阻隔墙（51）包括：两个平行设置的金属墙（511）；开放式引导弧线（512），位于两个平行设置的金属墙（511）之间；以及吸收环（513），位于开放式引导弧线（512）的凹陷处；其中，吸收环（513）上存在缺口（514），吸收环（513）上的缺口（514）朝向匹配的开放式引导弧线（512）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东仁懋电子有限公司 基于氮化稼的快充芯片

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