申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2023-05-29
公开(公告)日:2023-08-15
公开(公告)号:CN116598337A
主分类号:H01L29/06
分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/8238
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.09.01#实质审查的生效;2023.08.15#公开
摘要:本发明提供一种改善GIDL漏电的器件结构,衬底,衬底上形成有STI以定义出有源区;有源区上形成有栅氧化层,栅氧化层上形成有栅氧化层,栅氧化层的剖面形状为倒凹形;栅氧化层上形成有栅极结构,栅极结构两侧的有源区上分别形成有源、漏区。本发明只用新增一张光罩即可从根本上改善栅极与轻掺杂漏交叠区域的电场强度,从根本上解决栅诱导漏极泄漏电流问题,并且不会对其他工艺流程造成额外的影响。
主权项:1.根据权利要求1所述的改善GIDL漏电的器件结构,其特征在于:衬底,所述衬底上形成有STI以定义出有源区;所述有源区上形成有栅氧化层,所述栅氧化层上形成有栅氧化层,所述栅氧化层的剖面形状为倒凹形;所述栅氧化层上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的所述有源区上分别形成有源、漏区。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 改善GIDL漏电的器件结构及其制造方法
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