申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995886A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种LDMOS器件。包括：栅极结构形成于基底层上；漏端掺杂区形成于栅极结构一侧的基底层中，且漏端掺杂区与栅极结构之间形成间隔区；源端掺杂区形成于栅极结构另一侧的基底层中；漂移区形成于栅极结构与漏端掺杂区之间的基底层中，且漏端掺杂区位于漂移区中，漂移区与栅极结构的部分交叠；金属硅化物阻挡层跨接栅极结构和漏端掺杂区，且金属硅化物阻挡层至少覆盖在间隔区位置处的基底层上；源端接触孔式场板靠近栅极结构的一侧设置，且源端接触孔式场板的下端与金属硅化物阻挡层接触；漏端接触孔式场板靠近漏端掺杂区的一侧设置，且漏端接触孔式场板的下端与金属硅化物阻挡层接触。

主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：基底层；栅极结构，所述栅极结构形成于所述基底层上；漏端掺杂区，所述漏端掺杂区形成于所述栅极结构一侧的基底层中，且所述漏端掺杂区与所述栅极结构之间形成间隔区；源端掺杂区，所述源端掺杂区形成于所述栅极结构另一侧的基底层中；漂移区，所述漂移区形成于所述栅极结构与所述漏端掺杂区之间的基底层中，且所述漏端掺杂区位于所述漂移区中，所述漂移区与所述栅极结构的部分交叠；金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层跨接所述栅极结构和所述漏端掺杂区，且所述金属硅化物阻挡层至少覆盖在所述间隔区位置处的基底层上；源端接触孔式场板，所述源端接触孔式场板靠近所述栅极结构的一侧设置，且所述源端接触孔式场板的下端与所述金属硅化物阻挡层接触；漏端接触孔式场板，所述漏端接触孔式场板靠近所述漏端掺杂区的一侧设置，且所述漏端接触孔式场板的下端与所述金属硅化物阻挡层接触；其中，远离所述漏端掺杂区的漏端接触孔式场板一端边缘在横向上的位置为：位于所述漏端掺杂区外的所述漂移区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件

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