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【发明授权】NiP改性层的加工方法_中国人民解放军国防科技大学_202210590725.5 

申请/专利权人:中国人民解放军国防科技大学

申请日:2022-05-27

公开(公告)日:2023-08-18

公开(公告)号:CN114952437B

主分类号:B24B1/00

分类号:B24B1/00;C09G1/02

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.08.18#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要:本发明公开了一种NiP改性层的加工方法,包括以下步骤:S1、对NiP改性层表面进行磁流变修形;S2、将NiP改性层表面进行自动保形光顺;S3、对NiP改性层表面的面形误差和表面粗糙度进行检测,若不满足指标要求则跳转执行步骤S1,否则加工结束,完成对NiP改性层的加工处理。本发明中,通过对NiP改性层表面进行磁流变修形和自动保形光顺,可实现对反射镜表面NiP改性层的确定性修形,同时获得高质量的抛光表面,在有效提升NiP改性层的面形精度和表面质量的同时也能显著提升工艺可重复性,满足光学器件在短波长光谱领域的应用需求,使用价值高,应用前景好,对促进NiP改性层在光学领域的广泛应用具有重要意义。

主权项:1.一种NiP改性层的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、对NiP改性层表面进行磁流变修形;所述NiP改性层中Ni含量为85wt%~90wt%,P含量为10wt%~15wt%;S2、将NiP改性层表面进行自动保形光顺;S3、对NiP改性层表面的面形误差和表面粗糙度进行检测,若不满足指标要求则跳转执行步骤S1,否则加工结束,完成对NiP改性层的加工处理;步骤S1,包括以下步骤:S1-1、获取待加工的NiP改性层工件的磁流变加工去除函数,根据初始面形和去除函数计算加工驻留时间,选择扫描路径,生成数控加工代码,对待加工工件进行磁流变修形;所述磁流变修形过程中,采用的磁流变液中以二氧化硅为磨料,所述磨料的平均粒径为50nm;所述磁流变修形过程中,抛光轮的转速为180rpm~240rpm,磁流变液的液体流量为60Lh~120Lh,抛光轮最低点与被加工工件的间隙为0.1mm~0.2mm,加工区域的最大磁场强度为250mT~450mT;S1-2、对磁流变修形后的工件使用波面干涉仪进行面形检测,如果面形误差达到要求,则执步骤S2;否则,重复执行步骤S1-1;步骤S2,包括以下步骤:S2-1、根据NiP改性层面形形状与尺寸大小,选择光顺盘的大小、形状,使光顺盘与待加工工件表面能够贴合;S2-2、选择合理的抛光参数和运动轨迹,实现NiP改性层表面的光顺;S2-3、对光顺完成的待加工的NiP改性层工件进行清洁;步骤S2-2中,所述光顺过程中,采用的抛光液按照质量百分含量计包含以下组分:抛光磨料15%~30%,氧化剂1%~10%,络合剂1%~5%,表面活性剂1%~5%,其余为水;所述抛光磨料为二氧化硅;所述氧化剂为过氧化氢;所述络合剂为草酸、柠檬酸、甘氨酸、丙氨酸、三乙醇胺中的至少一种;所述表面活性剂为硬脂酸钠、硬脂酸钾、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种;所述NiP改性层化学机械抛光液的pH值为7.2~7.5。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国人民解放军国防科技大学 NiP改性层的加工方法

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