申请/专利权人：南通威斯派尔半导体技术有限公司

申请日：2023-05-06

公开（公告）日：2023-09-12

公开（公告）号：CN116727920A

主分类号：B23K35/24

分类号：B23K35/24;B23K1/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.09.12#公开

摘要：本发明公开了一种适用于Si3N4陶瓷覆铜基板的低CTE复合钎焊料，由以下材料组成：金属焊料95‑99wt%、低热膨胀系数添加相1‑5wt%。本发明通过在金属钎焊料内添加Si3N4、TiN等低热膨胀系数的粉料颗粒形成CTE值介于铜与陶瓷之间的低CTE的复合钎焊料，解决Si3N4陶瓷母材和钎料间的热错配，进而使钎料结合层内的残余应力水平得到降低，减少因CTE差异形成的剥离应力，提高钎焊可靠性。

主权项：1.一种适用于Si3N4陶瓷覆铜基板的低CTE复合钎焊料，其特征在于，由以下材料组成：金属焊料95-99wt％、低热膨胀系数添加相1-5wt％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通威斯派尔半导体技术有限公司 一种适用于Si₃N₄陶瓷覆铜基板的低CTE复合钎焊料

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