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【发明授权】一种高沉积率的OVD反应装置和OVD反应方法_藤仓烽火光电材料科技有限公司_202111529506.8 

申请/专利权人:藤仓烽火光电材料科技有限公司

申请日:2021-12-14

公开(公告)日:2023-09-22

公开(公告)号:CN114031287B

主分类号:C03B37/014

分类号:C03B37/014

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.09.22#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要:本发明涉及光纤预制棒制造技术领域,公开了一种高沉积率的OVD反应装置以及OVD反应方法,包括:至少一个喷灯,喷灯的喷口朝向光纤预制棒且喷射反应火焰;反应容器,罩设在光纤预制棒外;给气装置,其包括设置在光纤预制棒侧面的至少一个给气通道;所述给气通道的轴线朝向所述出口方向倾斜,并且给气通道喷出的气流落在光纤预制棒不与反应火焰接触的表面。本发明具有以下优点和效果:本申请由于利用降温导流气体喷射反应火焰无法涉及的位置,降低沉积体的表面温度,拉大了沉积体表面和反应火焰的温度差,有效的提高了沉积效率。另外本申请中面向排气口侧吹空气,不会扰乱反应容器内气体的气流,因此沉积效果不会恶化。

主权项:1.一种高沉积率的OVD反应装置,其特征在于,包括:至少一个喷灯1,其设置于光纤预制棒3的径向底部,喷灯1的喷口朝向光纤预制棒3且喷射反应火焰;反应容器8,罩设在光纤预制棒3外,其包括在竖直方向相对设置的进口81和出口82,所述喷灯1部分伸入进口81内;给气装置,其包括设置在光纤预制棒3侧面的至少一个给气通道2,给气通道2与反应容器8连通,且每一个喷灯1对应一个给气通道2;所述给气通道2的轴线朝向所述出口82方向倾斜,并且给气通道2喷出的降温气流落在光纤预制棒3不与反应火焰接触的表面;所述给气通道2为多边形筒状结构;其中部分侧壁为固定设置的固定板21;其余侧壁为可相对于固定板21移动的活动板22;固定板21和活动板22围设区域的截面积为给气通道2的出风面积,且出风面积随活动板22的移动增大或减小;还包括用于控制活动板移动的控制器4;当光纤预制棒3外径增大时,活动板22相对固定板21远离,给气通道2的出风面积增大;还包括:用于测量光纤预制棒3外径的外径测量仪5,其安装于反应容器8侧壁,且正对光纤预制棒3,所述外径测量仪5还与控制器4相连接;所述给气装置还包括用于控制给气通道2气体流量的流量调节器6,其安装于给气通道2内;所述流量调节器6还与控制器4连接;还包括:用于测量光纤预制棒3表面温度的红外测温仪7,其设置于反应容器8内壁,且正对光纤预制棒3;所述红外测温仪7还与控制器4连接;当红外测温仪7测得光纤预制棒3表面温度升高时,流量调节器6增大给气通道2的气体流量;所述给气通道2喷出的气流方向与所述光纤预制棒3的转动方向相对。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 藤仓烽火光电材料科技有限公司 一种高沉积率的OVD反应装置和OVD反应方法

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