申请/专利权人：上海大学;上海大学绍兴研究院

申请日：2023-08-01

公开（公告）日：2023-11-07

公开（公告）号：CN117003572A

主分类号：C04B35/78

分类号：C04B35/78;C04B35/573;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.24#实质审查的生效;2023.11.07#公开

摘要：本发明提供了一种沉积PyCSiC界面相的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中，抽真空，在氮气保护下提升温度至950‑1000℃，并控制压力为5‑10kPa，通入丙烯，沉积30min‑2h，关闭丙烯的通入路径，完成PyC的沉积；S2、在步骤S1的基础上，继续将温度提升至1300‑1500℃，并控制压力为3‑10kPa，通入甲基三氯硅烷MTS和氢气，沉积10min‑1h，关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径，完成SiC的沉积，降温并将压力升至常压，得到PyCSiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyCSiC多层界面相无法均匀沉积的问题。

主权项：1.一种沉积PyCSiC界面相的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中，抽真空，在氮气保护下提升温度至950-1000℃，并控制压力为5-10kPa，通入丙烯，沉积30min-2h，关闭丙烯的通入路径，完成PyC的沉积；S2、在步骤S1的基础上，继续将温度提升至1300-1500℃，并控制压力为3-10kPa，通入甲基三氯硅烷和氢气，沉积10min-1h，关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径，完成SiC的沉积，降温并将压力升至常压，得到PyCSiC界面相。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海大学;上海大学绍兴研究院 一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

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