申请/专利权人：咖为半导体技术(苏州)有限公司

申请日：2023-08-03

公开（公告）日：2023-11-07

公开（公告）号：CN117012638A

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.11.07#公开

摘要：体钨ICP刻蚀方法、刻蚀气体及微加工模具的制备方法，体钨刻蚀气体包括SF­6、O2和C4F8，所述体钨刻蚀气体中各组分SF­6O2C4F8的比例为4:1:3。O2的添加可以增强对于衬底轰击的物理辅助作用，去除掉表面的钝化层，使更多的待刻蚀衬底表面裸露，使自由基与之发生化学反应，这也是表面质量提升的一个原因；O2轰击衬底会产生对待刻蚀材料的溅射作用，增加一定的刻蚀速率；O2轰击衬底表面增加物质分子活性，促进化学反应；O2电离产物与SFx+结合，从而避免了自由基F*与SFx+的重新结合，增加F*自由基的密度，增加化学反应；通过调整SF­6、O2和C4F8之间的比例，能够同时达到提高刻蚀速率和提高刻蚀选择比的有益效果，其应用前景广阔。

主权项：1.一种体钨ICP深刻蚀方法，其特征在于：体钨刻蚀气体包括SF6、O2和C4F8，所述体钨刻蚀气体中各组分SF6O2C4F8的比例为4:1:3。

全文数据：

权利要求：

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