申请/专利权人：东莞理工学院

申请日：2023-08-14

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN117051366A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/02;G01N23/2202;G01N23/2251;G01B15/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：本发明属于光学测试技术领域，具体地说，涉及一种用于芯片微纳米尺度应变分析的HR‑DIC散斑制备方法。包括：S1、洁净芯片；S2、加入靶材；S3、创建真空环境；S4、加入气体；S5、洗气；S6、溅射；S7、停止溅射、取出样品即得。本发明方法一方面可以在常温下直接在样品表面制备散斑，无需对样品进行高温处理，从而避免了可能引起样品损坏等问题；另一方面，本发明方法所制得的HR‑DIC散斑颗粒的粒径范围为50～700nm，该粒径可根据需要进行调节。

主权项：1.一种用于芯片微纳米尺度应变分析的HR-DIC散斑制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：S1、洁净芯片：对芯片进行表面处理和清洗；S2、加入靶材：将靶材放置在磁控溅射仪的靶材架上，并与磁控电源连接；S3、创建真空环境：启动磁控溅射仪的真空泵，将真空腔体抽成高真空环境；S4、加入气体：打开磁控溅射仪的供气系统，通过控制气体压力和流量来调节离子加速能量和离子流量；S5、洗气：加入氩气至大于10Pa，然后关闭氩气进气通道，等待真空度恢复至低于2Pa；S6、溅射：将洁净的芯片置于磁控溅射仪内，打开氩气通道开关保持开启状态，让气压稳定在2～4Pa，采用磁控溅射将靶材溅射在芯片截面上，使得薄膜沉积均匀且散斑颗粒大小合适；S7、停止溅射、取出样品：停止溅射，关闭供气系统，并将真空腔体的压力恢复到大气压，取出沉积好的芯片，即得所述的HR-DIC散斑。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞理工学院 一种用于芯片微纳米尺度应变分析的HR-DIC散斑制备方法

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