申请/专利权人：贺州学院

申请日：2023-07-10

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN117098444A

主分类号：H10N50/01

分类号：H10N50/01;H10N50/85

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本发明属于电子功能材料与器件领域，涉及一种宽温区兼具负电卡效应的CZPMN‑PT异质结复合薄膜制备方法。本发明通过将PMN‑PT前驱体溶液旋涂于Pt111衬底上制得PMN‑PT湿膜；所得PMN‑PT湿膜干燥、热解、退火制得一层PMN‑PT薄膜；重复前面步骤，制得多层PMN‑PT薄膜；将CZ前驱体溶液旋涂于所得的多层PMN‑PT薄膜上制得CZ湿膜；将所得CZ湿膜干燥、热解、退火制得到一层CZ薄膜；重复前面步骤，制得多层CZ薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、可调控温区宽、电卡效应大等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。

主权项：1.一种宽温区兼具负电卡效应的CZPMN-PT异质结复合薄膜材料制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1将PMN-PT前驱体溶液旋涂于Pt111衬底上制得PMN-PT湿膜；2将步骤1所得PMN-PT湿膜干燥、热解、退火制得一层PMN-PT薄膜；3重复步骤1和步骤2，制得多层PMN-PT薄膜；4将CZ前驱体溶液旋涂于所得的多层PMN-PT薄膜上制得CZ湿膜；5将步骤4所得CZ湿膜干燥、热解、退火制得到一层CZ薄膜；6重复步骤4和步骤5，制得多层CZ薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 贺州学院 一种宽温区兼具负电卡效应的CZ/PMN-PT异质结复合薄膜制备方法

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