申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117945666A

主分类号：C03C17/22

分类号：C03C17/22;C03C17/34;C01B32/194;C01B19/02;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法。本发明采用气相沉积法，通过改变生长基底、调节基底放置方式、生长时间、生长温度等可以实现对Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的大面积可控制备。本发明使用二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片、碲纳米线、高序热解石墨烯等多种范德瓦尔斯材料作为生长基底，可以制备出硒二硫化钼、硒二硒化钨、硒碲等多种硒基异质结，从而满足光电、催化、成像等多种应用领域需求。本发明具有成本低、效率高、样品质量高等优势，能够满足大面积合成的工业化需求。

主权项：1.一种Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在石墨片表面雕刻出卡槽，然后将基底竖直放置在石墨片的卡槽中；S2.将硒粉末放置在氧化铝舟中并置于高温管式炉的加热中心，按照气流由上游至下游的顺序，将基底竖直放置在距离加热中心23-27cm处的下游区域；S3.打开气流控制开关，向管式炉反应腔中通入氩气进行清洗；S4.在氩气氛围下，升高管式炉的温度，使加热中心温度达到300℃-350℃并持续30-240分钟；S5.生长结束后，等待管式炉温度自然降至室温，关闭氩气，即得到Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法

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