申请/专利权人：华东交通大学

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117673215A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/26;H01L31/032

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供了一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构，异质结结构自上而下包括（）α‑In2Se3单层原胞与（）GaS单层原胞，异质结结构按其铁电极化方向分为P↑态与P↓态，（）α‑In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近上侧时，异质结结构为P↑态，（）α‑In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近下侧时，异质结结构为P↓态，本发明的异质结结构有两种可通过施加外加电场转换的极化态P↑态和P↓态，分别为可用于发光器件的Ⅰ型异质结和可用于光伏器件的Ⅱ型异质结，实现了一种异质结多种用途，大大拓展了异质结的应用领域和使用范围。

主权项：1.一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构，其特征在于，所述异质结结构自上而下包括（）α-In2Se3单层原胞与（）GaS单层原胞，所述异质结结构按其铁电极化方向分为P↑态与P↓态，所述（）α-In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近上侧时，所述异质结结构为P↑态，所述（）α-In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近下侧时，所述异质结结构为P↓态，所述异质结结构的晶格失配率小于2%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东交通大学 一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构

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