申请/专利权人：杭州阿姆科技有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2023-11-28

公开（公告）号：CN117130822A

主分类号：G06F11/10

分类号：G06F11/10;G06F3/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开

摘要：本发明公开了一种用于预测NAND闪存数据出错的方法及系统，方法包括：S1、对于每一个数据单元，通过NAND闪存上板测试获得每一个数据单元的BER和电压分布信息；S2、将BER作为一级信道模型的训练样本，训练得到一级信道模型，并计算每一个数据单元的硬判决错误率；S3、将电压分布信息作为二级信道模型的训练样本，训练得到二级信道模型，通过二级信道模型计算获得每一个数据单元的软判决信息；S4、根据电压分布图的实际情况，对二级信道模型调整，加入实际电压分布中的非相邻状态之间变换的信息，得到符合NAND闪存特性的软判决信息。本发明能预测闪存错误率，使闪存的寿命预测与实际更加契合。

主权项：1.一种用于预测NAND闪存数据出错的方法，其特征在于，包括步骤如下：S1、对于每一个数据单元，通过NAND闪存上板测试获得每一个数据单元的BER和电压分布信息；S2、将步骤S1中获取的BER作为一级信道模型的训练样本，通过训练得到一级信道模型，通过一级信道模型计算每一个数据单元的硬判决错误率；S3、将步骤S1中的电压分布信息作为二级信道模型的训练样本，通过训练得到二级信道模型，并将步骤S2中获取的每一个数据单元的硬判决错误率作为二级信道模型中数据单元中的所有位置硬判决读取错误率，通过二级信道模型计算获得每一个数据单元的软判决信息；S4、根据电压分布图的实际情况，对二级信道模型进行调整，加入实际电压分布中的非相邻状态之间变换的信息，得到符合NAND闪存特性的软判决信息。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州阿姆科技有限公司 一种用于预测NAND闪存数据出错的方法及系统

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