申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2019-06-24

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112133672B

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.01.12#实质审查的生效;2020.12.25#公开

摘要：本发明提供了一种闪存装置及其制造方法，该闪存装置包括基板、第一介电层、第二介电层、第三介电层、第一多晶硅层及第二多晶硅层。第一介电层形成于位于周边区的第一区的基板上。第二介电层形成于位于周边区的第二区的基板上。第三介电层形成于位于阵列区的基板上。第三介电层的底表面低于第二介电层的底表面。第一多晶硅层形成于第一介电层及第二介电层上。第二多晶硅层形成于第三介电层上。

主权项：1.一种闪存装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，其中所述基板包括一阵列区及一周边区，且所述周边区包括一第一区、一第二区及一第三区；形成一第一介电层于位于所述阵列区、所述第一区及所述第三区的所述基板上；形成一第二介电层于位于所述第二区的所述基板上，其中所述第二介电层为氧化层；在形成所述第二介电层之后，对所述第二介电层进行一第一氮化工艺；形成一第一多晶硅层于所述第一介电层及所述第二介电层上，其中所述第一多晶硅层包括一第一掺质；移除位于所述阵列区及所述第三区的所述第一多晶硅层与所述第一介电层，以暴露出位于所述阵列区及所述第三区的所述基板；以及形成一第三介电层于位于所述阵列区及所述第三区的所述基板上，其中所述第三介电层的底表面低于所述第二介电层的底表面；其中，所述方法还包括：在形成所述第一介电层之前，形成一牺牲层于所述基板上，再移除位于所述阵列区及所述第一区的所述牺牲层，以暴露出位于所述阵列区及所述第一区的所述基板；以及在形成所述第一介电层之后，移除位于所述第二区的所述牺牲层，以暴露出位于所述第二区的所述基板，其中，形成所述第一介电层的步骤包括对所述基板进行一第一热氧化工艺，且形成所述第二介电层的步骤包括对所述基板进行一第二热氧化工艺。

全文数据：

权利要求：

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