申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-04-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113192957B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B41/23

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本发明提供一种闪存存储器的制造方法，在刻蚀栅堆叠层之前，利用图形化的光刻胶层覆盖形成于冗余区上的冗余结构，并延伸覆盖与所述冗余区相邻的外围区，如此，后续对所述栅堆叠层进行刻蚀时，不会刻蚀到所述冗余结构与所述外围区之间的所述堆叠刻蚀，使得所述冗余区与所述外围区邻近之边缘处不会有刻蚀残留物，从而可避免出现刻蚀残留物剥落至存储区，使得闪存存储器的数据保持能力得以提高。

主权项：1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、外围区和形成于所述存储区与所述外围区之间的冗余区；在所述半导体衬底上形成自下而上依次堆叠的栅堆叠层和掩膜层；在所述冗余区的上方形成依次贯穿所述掩膜层和所述栅堆叠层的冗余结构，所述冗余结构包括侧墙和字线，所述字线依次贯穿所述掩膜层和所述栅堆叠层，所述侧墙位于所述掩膜层内，且形成于所述字线的外围；去除所述掩膜层以暴露出所述栅堆叠层，以及去除所述外围区上的所述栅堆叠层以暴露出所述外围区；形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述冗余结构，并延伸覆盖所述外围区；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅堆叠层，以分断所述存储区与所述冗余区上的所述栅堆叠层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存存储器的制造方法

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