申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2023-12-01

公开（公告）号：CN117150177A

主分类号：G06F17/10

分类号：G06F17/10;G06F17/16;G06F17/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明公开基于并矢格林函数一阶近似的变形阵列天线电磁分析方法，具体步骤如下：步骤1、理想互导纳计算；步骤2、变形阵元互导纳参数近似计算：步骤3、阵列远场计算。该方法通过将现有分析方法中的互导纳参数中的并矢格林函数进行一阶泰勒展开，从而构建变形后的互导纳矩阵与理想未变形的互导纳参数的增量关系，从而避免了重分析过程，能够快速评估变形阵列天线电性能。

主权项：1.基于并矢格林函数一阶近似的变形阵列天线电磁分析方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1、理想互导纳计算；步骤2、变形阵元互导纳参数近似计算：步骤3、阵列远场计算。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于并矢格林函数一阶近似的变形阵列天线电磁分析方法

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