申请/专利权人：中国人民武装警察部队工程大学

申请日：2021-02-07

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN112993046B

主分类号：H01L29/868

分类号：H01L29/868;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/58;H01L29/49

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.05#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要：本发明涉及一种SiGe‑GeSn‑SiGe结构的深槽保护PiN二极管及其制备方法，包括步骤：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述制备；本发明通过深槽结构的引入，极大的改善了固态等离子体PiN二极管的微波特性；SiGe半导体材料中引入Ge使基区能带变窄，大大提高了载流子的注入效率，本征GeSn区通过动态控制顶层Ge中Sn组分的含量使得本征区禁带宽度进一步降低，SiGe‑GeSn‑SiGe异质结构的引入极大提高了载流子注入效率和迁移率。

主权项：1.一种SiGe-GeSn-SiGe结构的深槽保护PiN二极管的制备方法，其特征在于，所述PiN二极管用于制作高集成可重构天线，所述PiN二极管的制备方法包括以下步骤：a选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂Sn，形成顶层GeSn区；GeOI衬底中，顶层Ge的厚度为30～120μm；步骤（a）具体包括以下步骤：a1光刻所述GeOI衬底；a2对所述GeOI衬底进行Sn组分掺杂，形成顶层GeSn区，通过动态的控制顶层GeSn区中Sn组分的含量，以实现载流子最大注入比；GeSn区中的Sn组分为1%-30%；a3去除光刻胶；b刻蚀顶层GeSn区形成有源区深槽；c将有源区深槽的四周侧壁平坦化处理，并利用原位掺杂淀积p型SiGe形成P区，利用原位掺杂淀积n型SiGe形成N区；d在衬底上形成GeSn合金引线，即制得所述SiGe-GeSn-SiGe结构的深槽保护PiN二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民武装警察部队工程大学 一种SiGe-GeSn-SiGe结构的深槽保护PiN二极管及其制备方法

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