申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-08-09

公开（公告）日：2023-12-15

公开（公告）号：CN117238926A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.15#公开

摘要：一种基于Topcom架构的8Mask显示面板的制造方法，包括：在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层、第一绝缘层、对第一绝缘层进行开孔，第一过孔，使第二金属层与部分栅极金属层相连接；沉积一层有源层、第二金属层、第二绝缘层，涂布一层有机光阻，源极位置进行开孔，为第二过孔；沉积透明电极保护层；此处该透明电极保护层需进行两次曝光蚀刻，一次使用正型光阻和公共电极光罩进行曝光和蚀刻，然后使用负型光阻和第三绝缘层光罩进行曝光和蚀刻，最终得到所需图形；沉积第一透明电极层、第三绝缘层，对第三绝缘层进行开孔，为第三至第五过孔；沉积第二透明电极层。本发明使9Mask阵列基板减少至8Mask，降低了成本。

主权项：1.一种基于Topcom架构的8Mask显示面板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：采用PVD方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；第二步：采用CVD方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；第三步：对第一绝缘层进行开孔，为第一过孔，用于使第二金属层与部分栅极金属层相连接；第四步：采用PVD方式沉积一层有源层，并进行图案化；第五步：采用PVD方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层和触控金属层，此处触控金属层与源漏极金属层为同层金属；第六步：采用CVD方式沉积一层第二绝缘层，为钝化绝缘层；第七步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔，为第二过孔；第八步：采用PVD方式沉积透明电极保护层；此处该透明电极保护层需进行两次曝光蚀刻，一次使用正型光阻和公共电极光罩进行曝光和蚀刻，然后使用负型光阻和第三绝缘层光罩进行曝光和蚀刻，最终得到所需图形；第九步：采用PVD方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此第一透明电极层作为像素电极；第十步：采用CVD方式沉积一层第三绝缘层，该第三绝缘层在面内作为像素电容；第十一步：对第三绝缘层进行开孔，为第三过孔、第四过孔、第五过孔；第三过孔、第四过孔：使公共电极桥接像素电极与源极金属层；第五过孔：使公共电极与触控金属层相连接；第十二步：采用PVD方式沉积第二透明电极层，并进行图案化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种基于Top com架构的8 Mask显示面板的制造方法

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