申请/专利权人：北京信息科技大学

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN117253517A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G11C5/14

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.19#公开

摘要：一种全差分对称型RRAM阵列结构，所述RRAM阵列结构包括4T4R单元、MOS管，RRAM单元，所述MOS管与RRAM单元相连组成1T1R单元；两个所述1T1R单元组成一个2T2R单元，两个所述2T2R单元组成一个4T4R单元，多个4T4R单元并联形成4T4R阵列，每行4T4R单元上端加BLup电压，下端加BLdn电压，mos管栅极接WL电压控制开启，两个mos管的交界处连接差分SL端，4T4R单元的四个RRAM电导值对称相等。可以在实现全差分对称型RRAM阵列的情况下有效减少了SL电压波动带来的干扰，这种以4T4R为基本单元的全差分对称阵列，可以基本杜绝2T2R由于SL电压波动带来的误差影响。

主权项：1.一种全差分对称型RRAM阵列结构，其特征在于，所述RRAM阵列结构包括4T4R单元、MOS管，RRAM单元，所述MOS管与RRAM单元相连组成1T1R单元；两个所述1T1R单元组成一个2T2R单元，两个所述2T2R单元组成一个4T4R单元，多个4T4R单元并联形成4T4R阵列，每行4T4R单元上端加BLup电压，下端加BLdn电压，mos管栅极接WL电压控制开启，两个mos管的交界处连接差分SL端，4T4R单元的四个RRAM电导值对称相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信息科技大学 一种全差分对称型RRAM阵列结构

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