申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-10-12

公开（公告）日：2023-12-19

公开（公告）号：CN117253875A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本发明提供一种NBTI效应内联测试结构和测试方法，所述NBTI效应内联测试结构应用于MOS器件测试，其包括PN结和金属层加热电阻。其中，PN结设置于MOS器件的侧部，且PN结中电流的磁场方向平行于MOS器件的沟道延伸方向；金属层加热电阻设置于PN结和MOS器件的上方，用于对MOS器件进行均匀加热。本发明解决了现有的NBTI测试结构中向多晶硅带施加电流会导致多晶硅带产生磁场影响载流子运动状态以及MOS器件受热不均的问题，提高了NBTI效应测试的测试精度。

主权项：1.一种NBTI效应内联测试结构，其特征在于，用于对MOS器件进行测试，包括：PN结，所述PN结设置于所述MOS器件的侧部，且所述PN结中电流的磁场方向平行于所述MOS器件的沟道延伸方向；金属层加热电阻，所述金属层加热电阻设置于所述PN结和所述MOS器件的上方，用于对所述MOS器件进行均匀加热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种NBTI效应内联测试结构和测试方法

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