申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司;英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

申请日：2018-05-29

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117316997A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/423;H01L29/40;H01L21/331;H01L21/28

优先权：["20170529 DE 102017111595.1"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：具有dVdt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。

主权项：1.一种功率半导体开关，包括：第一负载端子和第二负载端子，所述功率半导体开关被配置成沿着垂直方向在第一和第二负载端子之间传导负载电流：具有第一导电类型的漂移区的有源单元区；边缘终止区，其具有电连接至第一负载端子的第二导电类型的阱区；和布置在有源单元区内的多个IGBT单元，所述IGBT单元中的每个包括多个沟槽，所述沟槽沿着垂直方向延伸到漂移区中，并且横向地限制多个台面，其中所述多个沟槽包括：至少一个控制沟槽，其具有用于控制负载电流的控制电极；至少一个虚拟沟槽，其具有电耦合至控制电极的虚拟电极；和至少一个另外的沟槽，其具有另外的沟槽电极，所述至少一个另外的沟槽是另外的控制沟槽和另外的虚拟沟槽之一；其中所述多个台面包括：至少一个有源台面，其电连接到有源单元区内的第一负载端子并被配置成传导负载电流的至少一部分，包括在相应IGBT单元中的控制沟槽中的每个被布置成邻近不多于一个有源台面；和至少一个非有源台面，其布置成邻近所述至少一个虚拟沟槽，并且不电连接至所述第一负载端子；和与IGBT单元中的至少一个相关联的交叉沟槽结构，所述交叉沟槽结构将至少一个IGBT单元的至少一个控制沟槽、至少一个虚拟沟槽和至少一个另外的沟槽中的每个彼此合并，所述交叉沟槽结构沿着垂直方向与所述至少一个IGBT单元的多个沟槽至少部分地重叠。

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权利要求：

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