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【发明公布】低噪声带隙基准架构_德克萨斯仪器股份有限公司_202310765521.5 

申请/专利权人:德克萨斯仪器股份有限公司

申请日:2023-06-27

公开(公告)日:2023-12-29

公开(公告)号:CN117311439A

主分类号:G05F3/26

分类号:G05F3/26

优先权:["20220627 US 17/850,600"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.12.29#公开

摘要:一种低噪声带隙基准架构。在所描述的示例中,一种电路包括第一电流镜电路206。第一电流镜电路206耦合到电源输入端子202。第一级214耦合到第一电流镜电路206,并且第二级216耦合到第一级214和第一电流镜电路206。放大器240耦合到第一级和第二级。放大器240具有第一输入端子240a和第二输入端子240b。第一输入端子240a耦合到第一级214,并且第二输入端子240b耦合到第二级216。第二电流镜电路242耦合到第一级214、第二级216和放大器240。

主权项:1.一种电路,包括:第一电流镜电路,所述第一电流镜电路具有电源输入端子;第一级,所述第一级耦合到所述第一电流镜电路;第二级,所述第二级耦合到所述第一级和所述第一电流镜电路;耦合到所述第一级和所述第二级的放大器,所述放大器具有第一输入端子和第二输入端子,其中所述第一输入端子耦合到所述第一级,并且所述第二输入端子耦合到所述第二级;以及第二电流镜电路,所述第二电流镜电路耦合到所述第一级、所述第二级和所述放大器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 德克萨斯仪器股份有限公司 低噪声带隙基准架构

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