申请/专利权人：宁波阳光和谱光电科技有限公司

申请日：2023-11-02

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117328028A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明提供了一种Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用；S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理；S3：调整所述溅射靶材的溅射角度为120‑145°，将Te靶材安装在磁控直流溅射靶上，将Ge靶材和Se靶材安装在磁控射频溅射靶上以进行溅射，待真空度达到溅射标准后，在溅射腔室内持续通入氩气直至溅射腔室内气压达到起辉所需气压，随后降低氩气通量，开始溅射，溅射过程中保持Te靶材、Ge靶以及Se靶的功率不变，溅射结束后，即得到沉积态Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜。通过本发明解决了常规硫系薄膜材料无法同时兼备大光学对比度和低损耗的的问题。

主权项：1.一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用；S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理；S3：调整所述溅射靶材的溅射角度为120-145°，将Te靶材安装在磁控直流溅射靶上，将Ge靶材和Se靶材安装在磁控射频溅射靶上以进行溅射，待真空度达到溅射标准后，在溅射腔室内持续通入氩气直至溅射腔室内气压达到起辉所需气压，随后降低氩气通量，开始溅射，溅射过程中保持Te靶材、Ge靶以及Se靶的功率不变，溅射结束后，即得到沉积态Ge-Se-Te硫系相变薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波阳光和谱光电科技有限公司 一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法

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