申请/专利权人：南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司

申请日：2023-10-20

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117334562A

主分类号：H01L21/205

分类号：H01L21/205;H01L29/167;H01L29/868

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明公开了一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法。通过选用特定低氧含量的8英寸硅片作为衬底，使得外延生长得到的高压FRD元器件有着良好的电性参数一致性；在外延生长前对衬底进行高温烘烤处理，有效降低了衬底的自掺杂效应，减少了外延层受到衬底自掺杂效应的影响，获得的外延片性能更好；采用双层外延的工艺方法，且在缓冲层和外延层的生长过程中，采用了相同的生长温度和生长速率，增加了批量生产过程中参数的可控性。

主权项：1.一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1预备衬底片：选用掺杂As的8英寸硅片作为衬底，该8英寸硅片氧含量为4-6ppma；2高温烘烤衬底片：通入H2，将衬底置于外延炉中烘烤；3生长缓冲层：通入硅源和磷掺杂源，在衬底的基础上外延生长一层缓冲层；4生长外延层：在缓冲层的基础上，减少磷掺杂源通入量，生长一层外延层。

全文数据：

权利要求：

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