申请/专利权人：南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727617A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/329;C30B25/18;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种厚层FRD外延片制备方法，在外延层生长过程中采用多次升温‑降温工艺，有效释放硅外延片的应力，生产的厚层FRD产品厚度＞100μm裂片率降至0.1％以下，其余参数均满足FRD器件的性能指标要求，保证了产品的质量和生产的稳定性，为厚层FRD产品＞100μm甚至超厚层FRD产品＞150μm的裂纹裂片问题提供了有效解决途径。

主权项：1.一种厚层FRD外延片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、处理基座和硅衬底片；S2、升温并通入H2、硅源和磷掺杂源，在硅衬底片基础上生长第一层掺杂外延层；S3、第一层掺杂外延层生长完成后，均匀降温至设定值，并维持一定时间；S4、均匀升温至第一层掺杂外延层生长温度，并维持一定时间；S5、重复步骤S2-S4，生长若干层掺杂外延层；S6、完成掺杂外延层生长后，降温，依次通入H2、N2吹扫，将外延片取出。

全文数据：

权利要求：

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