申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117323841A

主分类号：B01D71/06

分类号：B01D71/06;B01D71/02;B01D69/02;B01D67/00;B01D61/44;B01D61/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：一种蒙脱土基二维纳米离子传输通道的单价阳离子选择分离膜的制备方法及应用，它属于膜分离技术领域。它解决了现有超滤膜抗污染性能弱及长期使用稳定性差的问题。方法：一、聚丙烯腈膜进行碱性水解，得基底膜；二、制备聚多巴胺聚乙烯亚胺共聚液；三、将聚多巴胺聚乙烯亚胺共聚液与蒙脱土悬浮液混合后真空抽滤到基底膜表面，热处理即完成。本发明中蒙脱土纳米片构筑的二维纳米通道填充有聚多巴胺聚乙烯亚胺共聚物，对Mg2+具有更高的静电排斥作用，再结合层间的尺寸筛分效应，赋予膜良好的单价选择性；在提高单价阳离子选择性分离膜选择性的同时改善了单价离子传输状况；保证了单价阳离子选择性分离膜的长期使用稳定性。

主权项：1.一种蒙脱土基二维纳米离子传输通道的单价阳离子选择分离膜的制备方法，其特征在于它按以下步骤进行：一、对常规聚丙烯腈膜进行碱性水解，得到基底膜；二、将多巴胺和聚乙烯亚胺溶于三羟甲基氨基甲烷缓冲液中并振荡，得聚多巴胺聚乙烯亚胺共聚液；三、将聚多巴胺聚乙烯亚胺共聚液与蒙脱土悬浮液超声混合，得混合溶液，然后通过真空抽滤将混合溶液均匀地抽滤到基底膜表面，再放入烘箱中热处理，获得蒙脱土基二维纳米离子传输通道的单价阳离子选择分离膜，即完成所述制备方法。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种蒙脱土基二维纳米离子传输通道的单价阳离子选择分离膜的制备方法及应用

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