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【发明公布】一种增进半导体SERS的类类囊体基底载体金属制备方法_徐州工程学院_202211653414.5 

申请/专利权人:徐州工程学院

申请日:2022-12-22

公开(公告)日:2024-01-02

公开(公告)号:CN117330553A

主分类号:G01N21/65

分类号:G01N21/65;C25D9/00;C25D5/54;C25D5/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要:本发明公开了一种增进半导体SERS效应的类类囊体基底载体金属制备方法。类类囊体状纳米金属基SERS基底,由于其叠层结构具有较大的比表面积可以负载更多金纳米离子,且其驻极体结构有助于极大地增强SERS的效果,因此具备优异的表面拉曼增强效应,对于提升半导体的拉曼光谱检测具有非常重要的意义,为开发下一代高效半导体拉曼光谱检测提供了新的工具与方向。

主权项:1.一种增进半导体SERS的类类囊体基底载体金属制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、通过电化学工作站,将各类导电基底放置于锌盐溶液、硝酸铵溶液中,通过电沉积法在不同的电流与温度下,制备得到的氧化锌阵列;S2、将氧化锌模板经硝酸盐或其他金属盐溶液在电沉积下还原得到纳米类囊体金属;S3、通过原子层沉积法、溶胶-凝胶方法、等离子体增强CVD法,对控制溶液种类与温度、反应时长;得到不同种类与厚度的驻极体膜;S4、通过常规湿化学法将纳米金负载到步骤S2中的类类囊体金属上去,并转移到驻极体基底上,得到适用于半导体检测的SERS基底。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 徐州工程学院 一种增进半导体SERS的类类囊体基底载体金属制备方法

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