申请/专利权人：苏州大学

申请日：2022-07-13

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115207141B

主分类号：H01L31/0236

分类号：H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要：本发明提供了一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，涉及光伏器件制造领域。本发明先提供一单晶硅片，并在单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构，之后将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而将柱状体结构刻蚀为金字塔结构，四甲基胍的质量分数为范围在1％～4％之间的任一数值，邻苯二酚的质量分数为范围在0.2％～0.8之间的任一数值。上述技术方案使用邻苯二酚作为添加剂、四甲基胍溶液作为刻蚀液进行湿法刻蚀，可以避免金属离子残留，提升了硅片品质，并且能够避免添加剂的挥发，不需要定时添加添加剂，工艺简单，成本低且加工效率高，适合大规模加工制造应用。

主权项：1.一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一单晶硅片，并在所述单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构；将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有所述柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而将所述柱状体结构刻蚀为金字塔结构，所述四甲基胍的质量分数为范围在1％～4％之间的任一数值，所述邻苯二酚的质量分数为范围在0.2％～0.8之间的任一数值，所述金字塔结构为正金字塔结构；提供一单晶硅片，并在所述单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构的步骤，具体包括以下步骤：对所述单晶硅片旋涂光刻胶并烘干，以形成预设边长正方形的预设图案均匀排列在所述单晶硅片表面；将所述单晶硅片放入反应离子刻蚀机进行刻蚀，以使得所述单晶硅片的表面形成均匀分布的柱状体结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法

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