申请/专利权人：福建中科光芯光电科技有限公司

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-01-05

公开（公告）号：CN117353156A

主分类号：H01S5/343

分类号：H01S5/343;H01S5/34;H01S5/028

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要：本发明提供了一种BH‑EML单片集成光放大器的芯片及其制备方法，出光端为SOA结构，中间为EAM结构，末端为LD结构；SOA结构由下至上依次为：衬底（1）、N‑InPbuffer层（2）、第一InGaAsPSCH层（31）、LD‑MQW层（4）、第二InGaAsPSCH层（32）、P‑InPspacer层（5）、高掺杂P‑InP层（7）、InGaAs接触层（8）、SiO2钝化层（13）、P面电极（12）；应用本技术方案集成光放大器后，可使出光功率更高。

主权项：1.一种BH-EML单片集成光放大器的芯片，其特征在于，出光端为SOA结构，中间为EAM结构，末端为LD结构；SOA结构由下至上依次为：衬底（1）、N-InPbuffer层（2）、第一InGaAsPSCH层（31）、LD-MQW层（4）、第二InGaAsPSCH层（32）、P-InPspacer层（5）、高掺杂P-InP层（7）、InGaAs接触层（8）、SiO2钝化层（13）、P面电极（12）；EAM结构由下至上依次为：衬底（1）、N-InPbuffer层（2）、第一InGaAsPSCH层（91）、EA-MQW层（10）、第二InGaAsPSCH层（92）、P-InPspacer层（11）、高掺杂P-InP层（7）、InGaAs接触层（8）、SiO2钝化层（13）、P面电极（12）；LD结构由下至上依次为：衬底（1）、N-InPbuffer层（2）、第一InGaAsPSCH层（31）、LD-MQW层（4）、第二InGaAsPSCH层（32）、第一P-InPspacer层（51）、光栅层（6）、第二P-InPspacer（52）、高掺杂P-InP层（7）、InGaAs接触层（8）、SiO2钝化层（13）、P面电极（12）；LD-MQW厚度较EA-MQW较薄，且中心与EA-MQW对准，LD与EA交界处、EA与SOA交界处设置隔离区（18），无高掺杂P-InP层、InGaAs接触层；InGaAs接触层（8）和P面电极（12）仅在欧姆接触区域（19）接触；波导横跨LD、EA和SOA区域，在波导两侧生长有电流限制结构，包括P-InP（15）、N-InP（16）、P-InP（17），在衬底底部镀有N面金属电极（14）。

全文数据：

权利要求：

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