申请/专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2024-01-05

公开（公告）号：CN113835016B

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.05#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：本发明公开一种DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质，涉及半导体测试领域。方法包括对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据兼容性测试结果、环境适用性测试结果、模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别。本发明能对DDR芯片的质量和可靠性进行全面测试，能补全对DDR本身性能的检测，使得用户能够得到DDR在不同极限情况下的数据，从而能够更加全面评估DDR的性能。

主权项：1.一种DDR芯片极限性能测试方法，其特征在于，所述方法包括：对DDR芯片进行兼容性测试，得到兼容性测试结果，所述兼容性测试包括电压测试和时序测试；对DDR芯片进行环境适用性测试，得到环境适用性测试结果，所述环境适用性测试包括温度测试、酸碱环境测试和压力测试；对DDR芯片进行模拟稳定性测试，得到模拟稳定性测试结果，所述模拟稳定性测试包括跌落测试和晃动测试；根据所述兼容性测试结果、所述环境适用性测试结果、所述模拟稳定性测试结果以及预设的分级标准确定DDR芯片的级别；所述对DDR芯片进行兼容性测试包括：控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步提高，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第一速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第一速率阈值，将所述第一速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压上限值；控制DDR芯片的输入电压从预设的标准电压逐步降低，并实时测量DDR芯片的运行速率；判断DDR芯片的运行速率是否等于预设的第二速率阈值；若DDR芯片的运行速率等于预设的第二速率阈值，将所述第二速率阈值对应的输入电压作为DDR芯片的输入电压下限值；根据所述输入电压上限值以及所述输入电压下限值确定DDR芯片的电压适用范围；获取DDR芯片在所述电压适用范围内的最大运行速率，并将所述电压适用范围内的最大运行速率对应的输入电压作为DDR芯片的最佳运行电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市金泰克半导体有限公司 DDR芯片极限性能测试方法、测试装置、设备及存储介质

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