申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-05-08

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN117374076A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/77

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明公开了一种三维堆叠场效应晶体管3DSFET及其制造方法。根据实施例，3DSFET可以包括设置在衬底上的下有源区、在下有源区上方的上有源区以及栅堆叠。下有源区包括衬底上沿第一方向延伸的鳍和分别在鳍在第一方向上的相对两端处的下源漏部。上有源区包括：一个或多个纳米片，其中最下方的纳米片与鳍在相对于衬底的竖直方向上间隔开；以及分别在所述一个或多个纳米片在第一方向上的相对两端处的上源漏部。栅堆叠在与第一方向相交的第二方向上延伸，以与鳍和所述一个或多个纳米片相交。

主权项：1.一种三维堆叠场效应晶体管，包括：设置在衬底上的下有源区，其中，所述下有源区包括：所述衬底上沿第一方向延伸的鳍，和分别在所述鳍在所述第一方向上的相对两端处的下源漏部；以及在所述下有源区上方的上有源区，其中，所述上有源区包括：一个或多个纳米片，其中最下方的纳米片与所述鳍在相对于所述衬底的竖直方向上间隔开，以及分别在所述一个或多个纳米片在所述第一方向上的相对两端处的上源漏部；以及栅堆叠，所述栅堆叠在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，以与所述鳍和所述一个或多个纳米片相交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 3DS FET及其制造方法

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