申请/专利权人：锐迪科微电子(上海)有限公司

申请日：2018-06-15

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN110611499B

主分类号：H03K17/08

分类号：H03K17/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.12#授权;2020.01.17#实质审查的生效;2019.12.24#公开

摘要：本申请公开了一种基于D‑pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路。所述射频开关为单刀N掷开关，N为自然数，具有一个公共端口和N个分支端口。每个分支端口和公共端口之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件构成串联通路。每个分支端口和地之间级联有一个或多个D‑pHEMT器件以及隔直电容构成对地通路。隔直电容的一端接地，另一端为X节点。所述ESD保护电路是连接到X节点的二极管组。所述二极管组包括并联的一条二极管正向级联支路和一条二极管反向级联支路。二极管正向级联支路是由多个级联的二极管正向连接到地；二极管反向级联支路仅由一个二极管反向连接到地。本申请可大幅减少ESD保护电路中的器件，还可避免ESD保护电路中的器件寄生参数对射频开关的性能产生不利影响。

主权项：1.一种基于D-pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路，所述基于D-pHEMT器件的射频开关为单刀N掷开关，N为自然数，具有一个公共端口和N个分支端口；每个分支端口和公共端口之间级联有一个或多个D-pHEMT器件构成串联通路；每个分支端口和地之间级联有一个或多个D-pHEMT器件以及隔直电容构成对地通路；隔直电容的一端接地，另一端为X节点；其特征是，所述ESD保护电路是连接到X节点的二极管组；所述二极管组包括并联的一条二极管正向级联支路和一条二极管反向级联支路；二极管正向级联支路是由多个级联的二极管正向连接到地；二极管反向级联支路仅由一个二极管反向连接到地；所述ESD保护电路仅设置在每条对地通路的X节点位置；在所述射频开关的第一种工作状态下，整个串联通路导通，整个对地通路关断，ESD电压会在关断的D-pHEMT器件的源极和漏极之间出现击穿，ESD电流会经过D-pHEMT器件的沟道通过ESD保护电路进行泄放；在所述射频开关的第二种工作状态下，整个串联通路关断，整个对地通路导通，ESD电压会在关断的D-pHEMT器件的源极和漏极之间出现击穿，ESD电流会经过D-pHEMT器件的沟道通过ESD保护电路进行泄放。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 锐迪科微电子(上海)有限公司 一种基于D-pHEMT器件的射频开关的ESD保护电路

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