申请/专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117447087A

主分类号：C03C15/00

分类号：C03C15/00;C03B20/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明涉及一种针对石英晶体的深刻蚀工艺，是采用等离子体刻蚀方法，工艺掩膜为Ni；在反应过程中，气体被泵抽走的同时，有气体持续通进腔室，使得反应持续的进行，刻蚀速度可控；所述的反应气体包括CF4和CHF3，其中主刻蚀气体为CF4、CHF3作为保护气体，帮助电离，优化形貌。石英的主要成分为SiO2，反应气体电离后生成氟活性原子，当其达到SiO2表面生成SiF4气体；通过调整CF4和CHF3的气体比例、ICP‑Bias的功率以优化石英深刻蚀过程中底部粗糙的状况；获得高深宽比形貌的石英晶体，且维持石英晶体自身单晶结构，以提供好的噪声相位精度，电阻及稳定性。

主权项：1.一种针对石英晶体的深刻蚀工艺，其特征在于，是采用等离子体刻蚀方法，工艺掩膜为Ni；在反应过程中，气体被泵抽走的同时，有气体持续通进腔室，使得反应持续的进行，刻蚀速度可控；所述的反应气体包括CF4和CHF3，其中CF4为主刻蚀气体，CHF3为保护气体，用于帮助电离，优化形貌；石英的主要成分为SiO2，反应气体电离后生成氟活性原子，当其达到SiO2表面时生成SiF4气体；通过调整CF4和CHF3的气体比例、ICP-Bias的功率以优化石英深刻蚀过程中底部粗糙的状况，获得高深宽比形貌的石英晶体，且维持石英晶体自身单晶结构，以提供好的噪声相位精度，电阻及稳定性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏鲁汶仪器有限公司 一种针对石英晶体的深刻蚀工艺

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