申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2021-12-13

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117461142A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：一种沟槽场效应晶体管field‑effecttransistor，FET器件100A，包括：多个有源沟槽102，所述多个有源沟槽沿着第一轴线延伸并沿着垂直于所述第一轴线的第二轴线分布。每个有源沟槽102包括栅极124和屏蔽电极126。所述沟槽FET器件100A还包括：完全填充有介质材料的两个或多个终端沟槽104,106，所述两个或多个终端沟槽沿着所述第二轴线延伸并与所述多个有源沟槽102相邻设置。此外，每一个所述多个有源沟槽102的所述屏蔽电极126在每一端与所述两个或多个终端沟槽104,106中的对应一个相邻设置。所述沟槽FET器件100A基于边缘终端概念，所述边缘终端概念提供了消除对过渡区的需要的益处，从而提高了所述沟槽FET器件100A的电压阻断能力。

主权项：1.一种沟槽场效应晶体管field-effecttransistor，FET器件100A、100B、100C、100E、400，其特征在于，包括：多个有源沟槽和两个或多个终端沟槽；所述多个有源沟槽102沿着第一轴线延伸并沿着垂直于所述第一轴线的第二轴线分布，每个有源沟槽包括栅极124和屏蔽电极126；所述两个或多个终端沟槽104、106沿着所述第二轴线延伸并与所述多个有源沟槽102相邻设置；其中，每一个所述多个有源沟槽102中的所述屏蔽电极126在每一端与所述两个或多个终端沟槽104、106中的对应一个相邻设置；其中，所述两个或多个终端沟槽104、106完全填充有介质材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 沟槽FET器件及制造沟槽FET器件的方法

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