申请/专利权人:中国建材国际工程集团有限公司
申请日:2021-12-29
公开(公告)日:2024-01-30
公开(公告)号:CN114388655B
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/073
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.01.30#授权;2022.05.10#实质审查的生效;2022.04.22#公开
摘要:本发明提供一种钝化CdTe太阳电池及其制造方法,在TCO和缓冲层之间采用非平整凸起状结构的MgZnO或SnO2窗口层,凸起状结构可以起到钝化提升开压的作用,同时还能起到陷光作用,提升光吸收和发电效率。
主权项:1.一种钝化CdTe太阳电池的制造方法,其特征在于,包括步骤:1提供一个带有透明底电极的透明衬底层,在所述透明底电极上通过掩膜溅射窗口层材料,所述掩膜为采用带有均匀密集小孔的掩模版,小孔直径1~10μm,小孔间距1~10μm,以在所述透明底电极上形成均匀密集的窗口层材料凸起;2在带有均匀密集的窗口层材料凸起的透明底电极上沉积CdSCdSe缓冲层;在CdSCdSe缓冲层上沉积CdTe光吸收层,通过活化退火工序对所述CdTe光吸收层进行活化退火处理;3在所述CdTe光吸收层上沉积一层背接触层;4采用第一激光器刻线,刻断透明底电极、窗口层、缓冲层和光吸收层,将整个膜层分割为多个电池单元;5涂覆光刻胶,经过衬底方向紫外光曝光显影,以填充第一激光器的刻线;6清洗未曝光光刻胶,采用第二激光器在每个紧邻第一激光器刻线处旁边刻线,刻断窗口层、缓冲层和光吸收层;7在整个膜面沉积背电极;8采用第三激光器在每个紧邻第二激光器刻线处旁边刻线,刻断缓冲层、光吸收层和背电极,所述第一激光器、第二激光器和第三激光器刻线依次排列,得到多个电池单元串联的CdTe太阳电池。
全文数据:
权利要求:
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