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【发明公布】HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用_哈尔滨商业大学_202311388040.3 

申请/专利权人:哈尔滨商业大学

申请日:2023-10-24

公开(公告)日:2024-02-02

公开(公告)号:CN117491447A

主分类号:G01N27/30

分类号:G01N27/30;G01N27/48

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要:本发明公开了HKUST‑1CoFe2O4g‑C3N4修饰电极,包括电极主体,其外表面包覆电催化材料,所述电催化材料为HKUST‑1CoFe2O4g‑C3N4纳米复合材料。本发明还公开了HKUST‑1CoFe2O4g‑C3N4修饰电极的制备方法,具有所述HKUST‑1CoFe2O4g‑C3N4修饰电极的电化学传感器和应用。本发明提供的HKUST‑1CoFe2O4g‑C3N4修饰电极在检测环丙沙星方面发挥了HKUST‑1、CoFe2O4和g‑C3N4之间的协同作用,表现出高电导率及优异的催化性能,对环丙沙星的检测具备高度灵敏度。

主权项:1.HKUST-1CoFe2O4g-C3N4修饰电极,其特征是,外表面包覆电催化材料,所述HKUST-1CoFe2O4g-C3N4纳米复合材料由铜源、g-C3N4、H3BTC和CoFe2O4按摩尔比为1﹕1.40~1.80﹕0.46~0.50﹕0.30~0.40进行水热反应制成。水热反应的条件为:自生压力下,反应温度为120~150℃,反应时间为10~12h,升温速率为3~5℃min-1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨商业大学 HKUST-1/CoFe2O4/g-C3N4纳米复合材料修饰电极及其制备方法、电化学传感器和应用

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