申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117524978A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明提供一种后段工艺中TaNTa阻挡层的形成方法，方法包括：步骤1提供一晶圆，且晶圆包括形成有互连孔槽的互连层；步骤2在低的交流偏压的条件下，于互连孔槽的底部及侧壁沉积形成氮化钽层；步骤3于氮化钽层的表面沉积钽层，且在沉积钽层的同时，在交流偏压及射频线圈的作用下对形成于互连孔槽底部的钽层及氮化钽层进行刻蚀，使二者溅射至互连孔槽的侧壁，且溅射起来的钽在直流线圈的作用下改变方向沉积于互连孔槽以外区域的晶圆表面，最终使得形成于互连孔槽底部的所述氮化钽得到减薄，且于其表面形成所需厚度的所述钽层。通过本发明解决了现有的形成阻挡层的工艺中阻挡层的填充能力较差的问题。

主权项：1.一种后段工艺中TaNTa阻挡层的形成方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一晶圆，且所述晶圆包括形成有互连孔槽的互连层；步骤2在低的交流偏压的条件下，于所述互连孔槽的底部及侧壁沉积形成氮化钽层；步骤3于所述氮化钽层的表面沉积钽层，且在沉积所述钽层的同时，在交流偏压及射频线圈的作用下对形成于所述互连孔槽底部的所述钽层及所述氮化钽层进行刻蚀，使二者溅射至所述互连孔槽的侧壁，且溅射起来的钽在直流线圈的作用下改变方向沉积于所述互连孔槽以外区域的晶圆表面，最终使得形成于所述互连孔槽底部的所述氮化钽层得到减薄，且于其表面形成所需厚度的所述钽层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 后段工艺中TaN/Ta阻挡层的形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD