申请/专利权人：宁波天德创新智能科技有限公司

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN117089814A

主分类号：C23C14/34

分类号：C23C14/34;C23C14/18;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本发明涉及电子元件制造技术领域，尤其涉及一种在Al2O3基片上在室温状态下溅射制作强结合力的TaN薄膜技术；增强TaN薄膜界面结合力的方法是按以下步骤进行的：S1、湿法清洗Al2O3基片；S2、真空装载Al2O3基片；S3、溅射炼靶，打开直流溅射电源，逐渐增加功率，在功率100W、200W、300W时各保持1‑2分钟炼靶；S4、在溅射开始的最初30‑60秒时间内，工作气体采用Ar气，利用溅射的Ta粒子轰击Al2O3基片表面，这样可以在膜基界面处形成一层5‑10nm后的结合层；S5、结合层形成后加入N2气，溅射气压调整为Ar和N2混合气体工作气压。本发明的有益效果：1.本发明是在基片不加热（室温）条件下完成的，简化了溅射镀膜时基片加热的复杂工艺,降低了薄膜生产能耗，提高了镀膜效率。2.增强了膜基界面结合力，解决了长期以来室温条件下膜基结合不牢固，容易龟裂、起皮、脱落、元件性能不稳定的问题。

主权项：1.一种增强TaN薄膜界面结合力的新技术，其特征在于增强TaN薄膜界面结合力的方法是按以下步骤进行的：S1、湿法清洗Al2O3基片；S2、真空装载Al2O3基片；S3、溅射炼靶，打开直流溅射电源，逐渐增加功率，在100W、200W、300W功率时各保持1-2分钟炼靶；S4、在溅射开始的最初30-60秒时间内，工作气体采用Ar气，利用溅射的Ta粒子轰击Al2O3基片表面，这样可以在膜基界面处形成一层5-10nm后的结合层；S5、结合层形成后加入N2气，溅射气压调整为Ar和N2混合气体工作气压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波天德创新智能科技有限公司 一种增强TaN薄膜界面结合力的新技术

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