申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117526079A

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;H01S5/18;H01S5/30;H01L29/737

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种HBT与PCSEL集成结构及其制作方法，上述HBT与PCSEL集成结构包括衬底和自下而上逐层生长于衬底上的缓冲层、发射层、基层、集电层、第一包层、有源层、第二包层、第一盖层及第二盖层；还包括：发射极电极、基极电极和p面电极，发射极电极设于发射层的上表面，基极电极设于基层的上表面，p面电极设于第二盖层的上表面；第二包层设有多个柱形孔洞，柱形孔洞沿竖直方向延伸设置，多个柱形孔洞沿水平方向依次间隔布设；第一盖层设有光子晶体空气孔。该结构通过将HBT器件与PCSEL集成，用以直接驱动激光器，无需传统分立器件之间欧姆接触的电连接；具有可平面集成特性，可与平面工艺兼容。

主权项：1.一种HBT与PCSEL集成结构，其特征在于，包括：衬底和自下而上逐层生长于所述衬底上的缓冲层、发射层、基层、集电层、第一包层、有源层、第二包层、第一盖层及第二盖层；还包括：发射极电极、基极电极和p面电极，所述发射极电极设于所述发射层的上表面，所述基极电极设于所述基层的上表面，所述p面电极设于所述第二盖层的上表面；其中，所述第二包层设有多个柱形孔洞，所述柱形孔洞沿竖直方向延伸设置，多个所述柱形孔洞沿水平方向依次间隔布设；所述第一盖层设有光子晶体空气孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种HBT与PCSEL集成结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD